“小暑金将伏,微涼麥正秋”
今天是(yes)24節氣中的(of)小暑，也是(yes)淄博名企优品5G新材料和(and)智能設備産業基地(land)項目開始地(land)勘的(of)日子。
淄博名企优品5G新材料和(and)智能設備産業基地(land)項目地(land)塊開始勘探，标志着項目建設拉開序幕。
淄博名企优品5G新材料和(and)智能設備産業基地(land)項目園區按照“兩高兩新”即“集聚高端要(want)素、發展高端産業，培育創新業态、營造創新生(born)态”标準建設。項目符合淄博“231”産業招商政策新一(one)代信息技術産業集群中第三代半導體産業、印制電路闆産業等。根據《産業結構調整指導目錄（2019年本）》，項目屬于(At)鼓勵類項目中第二十八條信息産業中20.集成電路設計、制造、先進封裝與測試以(by)及22.半導體等電子産品用(use)材料行業。
園區定位承接PCB和(and)芯片、光纖及光模塊封裝産業轉移目的(of)地(land)、半導體封裝及智能設備制造基地(land)、通信電子類重大(big)科技成果轉化基地(land)、高新電子技術企業孵化加速器等産業，打造形成半導體封裝和(and)智能設備制造産業基地(land)。
本項目計劃分二期進行建設。總建築面積約20萬平方米，總建設期5年，總投資約10億元（含後期設備及裝修）。
一(one)期工程占地(land)約爲(for)70畝，總建築面積7萬平方米。項目以(by)現有相關行業内意向公司爲(for)基礎，首期建設一(one)座面積約0.5萬平方米，集科技研發、産品展示、商務辦公于(At)一(one)體的(of)綜合性辦公樓和(and)園區綜合服務中心；同期建設約6.5萬平方米的(of)多層高标準廠房；配套建設水、電、路等附屬基礎設施。建設期2年，總投資4億元。
二期項目占地(land)170畝，建設内容包括中央研發展示中心、産研一(one)體研發中心、工學一(one)體實驗中心、職工生(born)活配套設施、多層高标準廠房、智造墅、智慧物流區及人(people)才服務區項目，總建築面積約13萬平方米，建設期3年，總投資約6億元。
